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制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 260 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 27.5 nC
耗散功率 184 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 R6015KNJ
单位重量 4 g
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0R6015KNJTL
型号:R6015KNJTL
品牌:ROHM
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