SI6926ADQ-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI6926ADQ-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
- 渠道：
- digikey
库存 ：328
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 10.5 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9 ns
正向跨导（Min） 26 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 46 ns
典型接通延迟时间 6 ns
外形参数
高度 1.2 mm
长度 4.4 mm
宽度 3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI6926ADQ-T1
单位重量 158 mg
SI6926ADQ-T1-E3 同类别型号
注
SI6926ADQ-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI6926ADQ-T1-E3
数据手册PDF。
SI6926ADQ-T1-E3
型号：SI6926ADQ-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：328 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00