FGA40T65SHD
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货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥47.159112 | ￥47.16 |
| 10 | ￥42.382428 | ￥423.82 |
| 100 | ￥34.720289 | ￥3472.03 |
| 500 | ￥29.55661 | ￥14778.31 |
| 1000 | ￥24.927359 | ￥24927.36 |
| 2000 | ￥23.681045 | ￥47362.09 |
| 5000 | ￥22.790735 | ￥113953.68 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 2.14 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 268 W
集电极连续电流（Max） 80 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.401 g
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注
FGA40T65SHD品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGA40T65SHD
数据手册PDF。
FGA40T65SHD
型号：FGA40T65SHD
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥47.159112 |
| 10+： | ￥42.382428 |
| 100+： | ￥34.720289 |
| 500+： | ￥29.55661 |
| 1000+： | ￥24.927359 |
| 2000+： | ￥23.681045 |
| 5000+： | ￥22.790735 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥47.16