货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.56021 | ¥5.56 |
10 | ¥4.151622 | ¥41.52 |
100 | ¥2.582408 | ¥258.24 |
500 | ¥1.766911 | ¥883.46 |
1000 | ¥1.359163 | ¥1359.16 |
2000 | ¥1.223246 | ¥2446.49 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII / U-MOSV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 80 mA, 720 mA
漏源电阻 240 mOhms, 300 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V, - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 350 mV, 1 V
栅极电荷 2 nC, 1.76 nC
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 1.05 S, 850 mS
典型关闭延迟时间 50 ns, 38 ns
典型接通延迟时间 18 ns, 11 ns
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3 mg
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0SSM6L14FE(TE85L,F)
型号:SSM6L14FE(TE85L,F)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.56021 |
10+: | ¥4.151622 |
100+: | ¥2.582408 |
500+: | ¥1.766911 |
1000+: | ¥1.359163 |
2000+: | ¥1.223246 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.56