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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥31.532151 | ¥31.53 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 2.3 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 290 W
栅极—射极漏泄电流 400 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.390 g
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0FGH40N60SFTU
型号:FGH40N60SFTU
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥31.532151 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥31.53