SH8M2TB1
库存 ：174
货期：（7~10天）
起订量：70
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 70 | ￥2.729398 | ￥191.06 |
| 100 | ￥2.615632 | ￥261.56 |
| 300 | ￥2.501865 | ￥750.56 |
| 500 | ￥2.388265 | ￥1194.13 |
| 1000 | ￥2.274499 | ￥2274.50 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 107 mOhms
耗散功率 2 W
配置 Dual
正向跨导（Min） 2 S
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
SH8M2TB1 同类别型号
注
SH8M2TB1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SH8M2TB1
数据手册PDF。
SH8M2TB1
型号：SH8M2TB1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：174 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 70+： | ￥2.729398 |
| 100+： | ￥2.615632 |
| 300+： | ￥2.501865 |
| 500+： | ￥2.388265 |
| 1000+： | ￥2.274499 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00