货期:(7~10天)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.268839 | ¥3806.52 |
6000 | ¥1.167644 | ¥7005.86 |
15000 | ¥1.05088 | ¥15763.20 |
30000 | ¥1.035311 | ¥31059.33 |
75000 | ¥0.973037 | ¥72977.78 |
150000 | ¥0.934115 | ¥140117.25 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 630 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.23 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 420 mS
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7 mg
购物车
0SSM6N36TU,LF
型号:SSM6N36TU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.268839 |
6000+: | ¥1.167644 |
15000+: | ¥1.05088 |
30000+: | ¥1.035311 |
75000+: | ¥0.973037 |
150000+: | ¥0.934115 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00