
货期:(7~10天)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.45482 | ¥4364.46 |
| 6000 | ¥1.338793 | ¥8032.76 |
| 15000 | ¥1.204912 | ¥18073.68 |
| 30000 | ¥1.187062 | ¥35611.86 |
| 75000 | ¥1.11566 | ¥83674.50 |
| 150000 | ¥1.071033 | ¥160654.95 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 630 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.23 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 420 mS
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7 mg
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0SSM6N36TU,LF
型号:SSM6N36TU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.45482 |
| 6000+: | ¥1.338793 |
| 15000+: | ¥1.204912 |
| 30000+: | ¥1.187062 |
| 75000+: | ¥1.11566 |
| 150000+: | ¥1.071033 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00