
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.241832 | ¥5.24 |
| 10 | ¥4.193465 | ¥41.93 |
| 25 | ¥3.836455 | ¥95.91 |
| 100 | ¥2.409826 | ¥240.98 |
| 250 | ¥2.382909 | ¥595.73 |
| 500 | ¥2.23132 | ¥1115.66 |
| 1000 | ¥1.517298 | ¥1517.30 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 630 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.23 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 420 mS
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7 mg
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0SSM6N36TU,LF
型号:SSM6N36TU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.241832 |
| 10+: | ¥4.193465 |
| 25+: | ¥3.836455 |
| 100+: | ¥2.409826 |
| 250+: | ¥2.382909 |
| 500+: | ¥2.23132 |
| 1000+: | ¥1.517298 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.24