货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.571729 | ¥4.57 |
10 | ¥3.657383 | ¥36.57 |
25 | ¥3.346012 | ¥83.65 |
100 | ¥2.101759 | ¥210.18 |
250 | ¥2.078284 | ¥519.57 |
500 | ¥1.946074 | ¥973.04 |
1000 | ¥1.32333 | ¥1323.33 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 630 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.23 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 420 mS
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7 mg
购物车
0SSM6N36TU,LF
型号:SSM6N36TU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.571729 |
10+: | ¥3.657383 |
25+: | ¥3.346012 |
100+: | ¥2.101759 |
250+: | ¥2.078284 |
500+: | ¥1.946074 |
1000+: | ¥1.32333 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.57