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制造商 Toshiba
商标名 MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 630 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.23 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 420 mS
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7 mg
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0SSM6N36TU,LF
型号:SSM6N36TU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
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