QS8K2TR

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 3.5 A

漏源电阻 38 mOhms, 38 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 500 mV

栅极电荷 4.6 nC

耗散功率 1.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 13 ns, 13 ns

上升时间 12 ns, 12 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 29 ns, 29 ns

典型接通延迟时间 8 ns, 8 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 QS8K2

单位重量 10 mg