FGH50T65UPD
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥42.704482 | ￥42.70 |
| 10 | ￥38.333044 | ￥383.33 |
| 100 | ￥31.407271 | ￥3140.73 |
| 500 | ￥26.736613 | ￥13368.31 |
| 1000 | ￥22.548977 | ￥22548.98 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 2.1 V
栅极/发射极最大电压 25 V
在25 C的连续集电极电流 100 A
耗散功率 240 W
栅极—射极漏泄电流 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.390 g
FGH50T65UPD 同类别型号
注
FGH50T65UPD品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGH50T65UPD
数据手册PDF。
FGH50T65UPD
型号：FGH50T65UPD
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥42.704482 |
| 10+： | ￥38.333044 |
| 100+： | ￥31.407271 |
| 500+： | ￥26.736613 |
| 1000+： | ￥22.548977 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥42.70