货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥147.654445 | ¥147.65 |
10 | ¥135.693816 | ¥1356.94 |
100 | ¥114.605797 | ¥11460.58 |
500 | ¥101.950513 | ¥50975.26 |
1000 | ¥99.496238 | ¥99496.24 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 XPT, GenX3
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.55 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 120 A
耗散功率 600 W
集电极连续电流 120 A
集电极连续电流(Max) 200 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
工作温度范围 - 55 C to + 175 C
高度 21.45 mm
长度 16.24 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 38 g
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0IXXH50N60B3D1
型号:IXXH50N60B3D1
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥147.654445 |
10+: | ¥135.693816 |
100+: | ¥114.605797 |
500+: | ¥101.950513 |
1000+: | ¥99.496238 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥147.65