NGTB30N135IHRWG
库存 ：210
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥72.393951 | ￥72.39 |
| 10 | ￥65.069552 | ￥650.70 |
| 25 | ￥61.519273 | ￥1537.98 |
| 100 | ￥49.216552 | ￥4921.66 |
| 250 | ￥46.4823 | ￥11620.58 |
| 500 | ￥43.748047 | ￥21874.02 |
| 1000 | ￥38.279541 | ￥38279.54 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1350 V
饱和电压 2.3 V
栅极/发射极最大电压 25 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 394 W
栅极—射极漏泄电流 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.500 g
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注
NGTB30N135IHRWG
型号：NGTB30N135IHRWG
品牌：ON
供货：锐单
库存：210 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥72.393951 |
| 10+： | ￥65.069552 |
| 25+： | ￥61.519273 |
| 100+： | ￥49.216552 |
| 250+： | ￥46.4823 |
| 500+： | ￥43.748047 |
| 1000+： | ￥38.279541 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥72.39