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SQJB68EP-T1_GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SQJB68EP-T1_GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
渠道:
digikey

库存 :9239

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 11.632531 11.63
10 9.553526 95.54
100 7.431208 743.12
500 6.298398 3149.20
1000 5.130689 5130.69

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 11 A

漏源电阻 92 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.5 V

栅极电荷 8 nC

耗散功率 27 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 5 ns

正向跨导(Min) 8.6 S

上升时间 5 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 15 ns

典型接通延迟时间 9 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 506.600 mg

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SQJB68EP-T1_GE3

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型号:SQJB68EP-T1_GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

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1+: ¥11.632531
10+: ¥9.553526
100+: ¥7.431208
500+: ¥6.298398
1000+: ¥5.130689

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