
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥24.859649 | ¥24.86 |
| 10 | ¥20.6878 | ¥206.88 |
| 100 | ¥16.46166 | ¥1646.17 |
| 500 | ¥13.928548 | ¥6964.27 |
| 1000 | ¥11.818191 | ¥11818.19 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 161 A
漏源电阻 3.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.4 ns
正向跨导(Min) 118 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 4.7 ns
开发套件 EVMX777BG-01-00-00, EVMX777G-01-20-00
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 87.800 mg
购物车
0CSD18501Q5A
型号:CSD18501Q5A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥24.859649 |
| 10+: | ¥20.6878 |
| 100+: | ¥16.46166 |
| 500+: | ¥13.928548 |
| 1000+: | ¥11.818191 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥24.86