AFGHL40T65SPD
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥31.864187 | ￥31.86 |
| 10 | ￥28.613456 | ￥286.13 |
| 100 | ￥23.445026 | ￥2344.50 |
| 500 | ￥19.958207 | ￥9979.10 |
| 1000 | ￥16.832243 | ￥16832.24 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.85 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 267 W
集电极连续电流（Max） 80 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
AFGHL40T65SPD 同类别型号
注
AFGHL40T65SPD品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、AFGHL40T65SPD
数据手册PDF。
AFGHL40T65SPD
型号：AFGHL40T65SPD
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥31.864187 |
| 10+： | ￥28.613456 |
| 100+： | ￥23.445026 |
| 500+： | ￥19.958207 |
| 1000+： | ￥16.832243 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥31.86