CSD85312Q3E
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.129072 | ￥15.13 |
| 10 | ￥13.559713 | ￥135.60 |
| 100 | ￥10.568899 | ￥1056.89 |
| 500 | ￥8.730829 | ￥4365.41 |
| 1000 | ￥6.89276 | ￥6892.76 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 14 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 11.7 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6 ns
正向跨导（Min） 99 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 11 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 32 mg
CSD85312Q3E 同类别型号
注
CSD85312Q3E品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD85312Q3E
数据手册PDF
。
CSD85312Q3E
型号：CSD85312Q3E
品牌：TI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.129072 |
| 10+： | ￥13.559713 |
| 100+： | ￥10.568899 |
| 500+： | ￥8.730829 |
| 1000+： | ￥6.89276 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.13