FGH40N60SMD-F085
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥36.234827 | ￥36.23 |
| 10 | ￥32.016901 | ￥320.17 |
| 30 | ￥29.438065 | ￥883.14 |
| 100 | ￥27.285393 | ￥2728.54 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 2.1 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 349 W
集电极连续电流（Max） 40 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 FGH40N60SMD_F085
单位重量 6.390 g
FGH40N60SMD-F085 同类别型号
注
FGH40N60SMD-F085品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGH40N60SMD-F085
数据手册PDF。
FGH40N60SMD-F085
型号：FGH40N60SMD-F085
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥36.234827 |
| 10+： | ￥32.016901 |
| 30+： | ￥29.438065 |
| 100+： | ￥27.285393 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥36.23