货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.560211 | ¥5.56 |
10 | ¥4.460525 | ¥44.61 |
25 | ¥4.08243 | ¥102.06 |
100 | ¥2.563874 | ¥256.39 |
250 | ¥2.535456 | ¥633.86 |
500 | ¥2.374333 | ¥1187.17 |
1000 | ¥1.614438 | ¥1614.44 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.8 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 9.1 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17 ns
上升时间 21 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN2041UVT-7
型号:DMN2041UVT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.560211 |
10+: | ¥4.460525 |
25+: | ¥4.08243 |
100+: | ¥2.563874 |
250+: | ¥2.535456 |
500+: | ¥2.374333 |
1000+: | ¥1.614438 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.56