货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.894006 | ¥2682.02 |
6000 | ¥0.85692 | ¥5141.52 |
9000 | ¥0.771221 | ¥6940.99 |
30000 | ¥0.759766 | ¥22792.98 |
75000 | ¥0.714088 | ¥53556.60 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 122 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 5.1 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9 ns
典型接通延迟时间 9.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7 mg
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0SSM6N40TU,LF
型号:SSM6N40TU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.894006 |
6000+: | ¥0.85692 |
9000+: | ¥0.771221 |
30000+: | ¥0.759766 |
75000+: | ¥0.714088 |
货期:1-2天
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