货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥37.8976 | ¥37.90 |
10 | ¥34.036335 | ¥340.36 |
25 | ¥32.177207 | ¥804.43 |
100 | ¥25.741766 | ¥2574.18 |
250 | ¥24.311668 | ¥6077.92 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 100 A
耗散功率 268 W
集电极连续电流(Max) 100 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 116.667 mg
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0FGHL50T65SQ
型号:FGHL50T65SQ
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥37.8976 |
10+: | ¥34.036335 |
25+: | ¥32.177207 |
100+: | ¥25.741766 |
250+: | ¥24.311668 |
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