FGH60N60SFDTU
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥44.778071 | ￥44.78 |
| 10 | ￥38.380181 | ￥383.80 |
| 100 | ￥31.985872 | ￥3198.59 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
栅极/发射极最大电压 20 V
集电极连续电流（Max） 120 A
外形参数
高度 20.6 mm
长度 15.6 mm
宽度 4.7 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.390 g
FGH60N60SFDTU 同类别型号
注
FGH60N60SFDTU品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGH60N60SFDTU
数据手册PDF。
FGH60N60SFDTU
型号：FGH60N60SFDTU
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥44.778071 |
| 10+： | ￥38.380181 |
| 100+： | ￥31.985872 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥44.78