货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥176.938213 | ¥176.94 |
10 | ¥162.617585 | ¥1626.18 |
100 | ¥137.338403 | ¥13733.84 |
500 | ¥122.172378 | ¥61086.19 |
1000 | ¥119.231274 | ¥119231.27 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.8 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 175 A
耗散功率 750 W
集电极连续电流(Max) 360 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
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0IXYH75N65C3D1
型号:IXYH75N65C3D1
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥176.938213 |
10+: | ¥162.617585 |
100+: | ¥137.338403 |
500+: | ¥122.172378 |
1000+: | ¥119.231274 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥176.94