RGTH00TK65GC11
库存 ：405
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥80.732358 | ￥80.73 |
| 10 | ￥72.481558 | ￥724.82 |
| 100 | ￥59.384449 | ￥5938.44 |
| 500 | ￥50.552898 | ￥25276.45 |
| 1000 | ￥43.094743 | ￥43094.74 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 35 A
耗散功率 72 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTH00TK65
RGTH00TK65GC11 同类别型号
注
RGTH00TK65GC11品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、RGTH00TK65GC11
数据手册PDF。
RGTH00TK65GC11
型号：RGTH00TK65GC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：405 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥80.732358 |
| 10+： | ￥72.481558 |
| 100+： | ￥59.384449 |
| 500+： | ￥50.552898 |
| 1000+： | ￥43.094743 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥80.73