货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.944079 | ¥2832.24 |
6000 | ¥0.868785 | ¥5212.71 |
15000 | ¥0.781906 | ¥11728.59 |
30000 | ¥0.770322 | ¥23109.66 |
75000 | ¥0.723987 | ¥54299.03 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 39.1 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 3.2 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 6 S
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 26 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8.500 mg
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0SSM6N67NU,LF
型号:SSM6N67NU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.944079 |
6000+: | ¥0.868785 |
15000+: | ¥0.781906 |
30000+: | ¥0.770322 |
75000+: | ¥0.723987 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00