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制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 95 A
耗散功率 330 W
集电极连续电流(Max) 95 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 SP001540880
单位重量 6.500 g
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0IRGP6660D-EPBF
型号:IRGP6660D-EPBF
品牌:INFINEON
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