货期:国内(1~3工作日)
起订量:5000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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5000 | ¥5.998674 | ¥29993.37 |
10000 | ¥5.800101 | ¥58001.01 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 5.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 114 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 40 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 16 ns
开发套件 EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC057N08NS3 G SP000447542
单位重量 104.400 mg
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0BSC057N08NS3GATMA1
型号:BSC057N08NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
5000+: | ¥5.998674 |
10000+: | ¥5.800101 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00