RGTH80TK65DGC11
库存 ：446
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥75.386462 | ￥75.39 |
| 30 | ￥60.230424 | ￥1806.91 |
| 120 | ￥53.890124 | ￥6466.81 |
| 510 | ￥47.550073 | ￥24250.54 |
| 1020 | ￥42.795005 | ￥43650.91 |
| 2010 | ￥40.100497 | ￥80602.00 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 31 A
耗散功率 66 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTH80TK65D
RGTH80TK65DGC11 同类别型号
注
RGTH80TK65DGC11品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、RGTH80TK65DGC11
数据手册PDF。
RGTH80TK65DGC11
型号：RGTH80TK65DGC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：446 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥75.386462 |
| 30+： | ￥60.230424 |
| 120+： | ￥53.890124 |
| 510+： | ￥47.550073 |
| 1020+： | ￥42.795005 |
| 2010+： | ￥40.100497 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥75.39