SQ1563AEH-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQ1563AEH-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 20V POWERPAKSC70-6
- 渠道：
- digikey
库存 ：2187
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.273923 | ￥6.27 |
| 10 | ￥5.397941 | ￥53.98 |
| 25 | ￥5.038078 | ￥125.95 |
| 100 | ￥4.029515 | ￥402.95 |
| 250 | ￥3.742099 | ￥935.52 |
| 500 | ￥3.166319 | ￥1583.16 |
| 1000 | ￥2.446711 | ￥2446.71 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 850 mA
漏源电阻 150 mOhms, 500 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV, 1.5 V
栅极电荷 930 pC, 1 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17 ns, 20 ns
正向跨导（Min） 2.6 S, 1.5 S
上升时间 21 ns, 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 28 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
SQ1563AEH-T1_GE3 同类别型号
注
SQ1563AEH-T1_GE3
型号：SQ1563AEH-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：2187 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.273923 |
| 10+： | ￥5.397941 |
| 25+： | ￥5.038078 |
| 100+： | ￥4.029515 |
| 250+： | ￥3.742099 |
| 500+： | ￥3.166319 |
| 1000+： | ￥2.446711 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.27