货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥23.904728 | ¥23.90 |
10 | ¥19.845904 | ¥198.46 |
100 | ¥15.792061 | ¥1579.21 |
500 | ¥13.361995 | ¥6681.00 |
1000 | ¥11.337565 | ¥11337.57 |
2000 | ¥10.770698 | ¥21541.40 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 5.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 114 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 40 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 16 ns
开发套件 EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC057N08NS3 G SP000447542
单位重量 104.400 mg
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0BSC057N08NS3GATMA1
型号:BSC057N08NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥23.904728 |
10+: | ¥19.845904 |
100+: | ¥15.792061 |
500+: | ¥13.361995 |
1000+: | ¥11.337565 |
2000+: | ¥10.770698 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥23.90