
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.193525 | ¥7.19 |
| 10 | ¥6.189146 | ¥61.89 |
| 25 | ¥5.776536 | ¥144.41 |
| 100 | ¥4.620143 | ¥462.01 |
| 250 | ¥4.2906 | ¥1072.65 |
| 500 | ¥3.630423 | ¥1815.21 |
| 1000 | ¥2.80534 | ¥2805.34 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 850 mA
漏源电阻 150 mOhms, 500 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV, 1.5 V
栅极电荷 930 pC, 1 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17 ns, 20 ns
正向跨导(Min) 2.6 S, 1.5 S
上升时间 21 ns, 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 28 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
购物车
0SQ1563AEH-T1_GE3
型号:SQ1563AEH-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.193525 |
| 10+: | ¥6.189146 |
| 25+: | ¥5.776536 |
| 100+: | ¥4.620143 |
| 250+: | ¥4.2906 |
| 500+: | ¥3.630423 |
| 1000+: | ¥2.80534 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.19