SSM6N357R,LF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SSM6N357R,LF
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH
- 渠道：
- digikey
库存 ：100
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.921424 | ￥2.92 |
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 MOSV
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 650 mA
漏源电阻 1.8 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 1.5 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导（Min） 500 mS
典型关闭延迟时间 3000 ns
典型接通延迟时间 990 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
SSM6N357R,LF 同类别型号
注
SSM6N357R,LF
型号：SSM6N357R,LF
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：100 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.921424 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.92