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制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.15 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 153 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 63 ns
典型关闭延迟时间 78 ns
典型接通延迟时间 51 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0SIDR390DP-T1-RE3
型号:SIDR390DP-T1-RE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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