AON5820_101
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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
AON5820_101
制造商
AOS
商品描述
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
9.5mOhm @ 10A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
15nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1510pF @ 10V
功率 - 最大值
1.7W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
供应商器件封装
6-DFN-EP (2x5)
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注
AON5820_101
型号：AON5820_101
品牌：AOS
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