NTMD3P03R2G

制造商 onsemi

商标 onsemi

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 3.05 A

漏源电阻 85 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 25 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 35 ns, 45 ns

正向跨导（Min） 5 S

上升时间 42 ns, 16 ns

晶体管类型 2 P-Channel

典型关闭延迟时间 32 ns, 45 ns

典型接通延迟时间 16 ns, 12 ns

高度 1.5 mm

长度 5 mm

宽度 4 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

单位重量 74 mg