
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.79083 | ¥9.79 |
| 10 | ¥6.073374 | ¥60.73 |
| 100 | ¥3.890326 | ¥389.03 |
| 500 | ¥2.949487 | ¥1474.74 |
| 1000 | ¥2.645819 | ¥2645.82 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 650 mA
漏源电阻 1.8 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 1.5 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 500 mS
典型关闭延迟时间 3000 ns
典型接通延迟时间 990 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
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0SSM6N357R,LF
型号:SSM6N357R,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.79083 |
| 10+: | ¥6.073374 |
| 100+: | ¥3.890326 |
| 500+: | ¥2.949487 |
| 1000+: | ¥2.645819 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.79