货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.191708 | ¥5.19 |
10 | ¥4.425313 | ¥44.25 |
100 | ¥3.301679 | ¥330.17 |
500 | ¥2.59437 | ¥1297.18 |
1000 | ¥2.004742 | ¥2004.74 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 650 mA
漏源电阻 1.8 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 1.5 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 500 mS
典型关闭延迟时间 3000 ns
典型接通延迟时间 990 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
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0SSM6N357R,LF
型号:SSM6N357R,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.191708 |
10+: | ¥4.425313 |
100+: | ¥3.301679 |
500+: | ¥2.59437 |
1000+: | ¥2.004742 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.19