RGTV00TK65DGC11
库存 ：430
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥86.561064 | ￥86.56 |
| 10 | ￥78.1883 | ￥781.88 |
| 25 | ￥74.553018 | ￥1863.83 |
| 100 | ￥61.823867 | ￥6182.39 |
| 250 | ￥58.18717 | ￥14546.79 |
| 500 | ￥54.55047 | ￥27275.23 |
| 1000 | ￥50.913773 | ￥50913.77 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 45 A
耗散功率 94 W
集电极连续电流（Max） 45 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
RGTV00TK65DGC11 同类别型号
注
RGTV00TK65DGC11
型号：RGTV00TK65DGC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：430 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥86.561064 |
| 10+： | ￥78.1883 |
| 25+： | ￥74.553018 |
| 100+： | ￥61.823867 |
| 250+： | ￥58.18717 |
| 500+： | ￥54.55047 |
| 1000+： | ￥50.913773 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥86.56