货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.738222 | ¥11.74 |
10 | ¥10.50262 | ¥105.03 |
25 | ¥9.963898 | ¥249.10 |
100 | ¥7.472923 | ¥747.29 |
250 | ¥7.401752 | ¥1850.44 |
500 | ¥6.334192 | ¥3167.10 |
1000 | ¥5.159875 | ¥5159.88 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 20 A, 60 A
漏源电阻 7.4 mOhms, 3.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 18 nC, 43 nC
耗散功率 27 W, 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns, 14 ns
正向跨导(Min) 55 S, 60 S
上升时间 18 ns, 17 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 19 ns
典型接通延迟时间 4 ns, 7 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
购物车
0SQJ200EP-T1_GE3
型号:SQJ200EP-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.738222 |
10+: | ¥10.50262 |
25+: | ¥9.963898 |
100+: | ¥7.472923 |
250+: | ¥7.401752 |
500+: | ¥6.334192 |
1000+: | ¥5.159875 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.74