RGTH00TK65DGC11
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥39.713415 | ￥39.71 |
| 10 | ￥35.898911 | ￥358.99 |
| 100 | ￥29.718965 | ￥2971.90 |
| 500 | ￥25.878808 | ￥12939.40 |
| 1000 | ￥23.626401 | ￥23626.40 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 35 A
耗散功率 72 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTH00TK65D
RGTH00TK65DGC11 同类别型号
注
RGTH00TK65DGC11品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、RGTH00TK65DGC11
数据手册PDF。
RGTH00TK65DGC11
型号：RGTH00TK65DGC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥39.713415 |
| 10+： | ￥35.898911 |
| 100+： | ￥29.718965 |
| 500+： | ￥25.878808 |
| 1000+： | ￥23.626401 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥39.71