SQJ968EP-T1_GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SQJ968EP-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- 渠道：
- digikey
库存 ：101
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.458758 | ￥13.46 |
| 10 | ￥12.042046 | ￥120.42 |
| 25 | ￥11.424361 | ￥285.61 |
| 100 | ￥8.568271 | ￥856.83 |
| 250 | ￥8.486667 | ￥2121.67 |
| 500 | ￥7.262629 | ￥3631.31 |
| 1000 | ￥5.916186 | ￥5916.19 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 23.5 A
漏源电阻 28 mOhms, 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 18.5 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6.5 ns, 6.5 ns
正向跨导（Min） 16 S, 16 S
上升时间 9 ns, 9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 19.5 ns, 19.5 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SQJ968EP-T1_GE3 同类别型号
注
SQJ968EP-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SQJ968EP-T1_GE3
数据手册PDF。
SQJ968EP-T1_GE3
型号：SQJ968EP-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：101 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.458758 |
| 10+： | ￥12.042046 |
| 25+： | ￥11.424361 |
| 100+： | ￥8.568271 |
| 250+： | ￥8.486667 |
| 500+： | ￥7.262629 |
| 1000+： | ￥5.916186 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.46