NTMFD4902NFT1G

制造商 onsemi

商标 onsemi

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 18.2 A

漏源电阻 8 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.2 V

栅极电荷 9.7 nC, 11.5 nC

耗散功率 3.45 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 4 ns, 4.7 ns

正向跨导（Min） 28 S, 35 S

上升时间 15 ns, 15.2 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 14 ns, 17.7 ns

典型接通延迟时间 9 ns, 10.5 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 161.193 mg