RGW00TK65DGVC11
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥98.709656 | ￥98.71 |
| 30 | ￥78.834637 | ￥2365.04 |
| 120 | ￥70.537464 | ￥8464.50 |
| 510 | ￥62.238435 | ￥31741.60 |
| 1020 | ￥56.014593 | ￥57134.88 |
| 2010 | ￥52.487719 | ￥105500.32 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 45 A
耗散功率 89 W
集电极连续电流（Max） 45 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
RGW00TK65DGVC11 同类别型号
注
RGW00TK65DGVC11
型号：RGW00TK65DGVC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥98.709656 |
| 30+： | ￥78.834637 |
| 120+： | ￥70.537464 |
| 510+： | ￥62.238435 |
| 1020+： | ￥56.014593 |
| 2010+： | ￥52.487719 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥98.71