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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0IRL630STRLPBF
型号:IRL630STRLPBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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