SQ9945BEY-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQ9945BEY-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
- 渠道：
- digikey
库存 ：7185
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.171758 | ￥13.17 |
| 10 | ￥10.810782 | ￥108.11 |
| 100 | ￥8.407556 | ￥840.76 |
| 500 | ￥7.126417 | ￥3563.21 |
| 1000 | ￥5.805266 | ￥5805.27 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.4 A
漏源电阻 45 mOhms, 45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.7 ns
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 6 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQ9945BEY-T1_BE3
单位重量 187 mg
SQ9945BEY-T1_GE3 同类别型号
注
SQ9945BEY-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SQ9945BEY-T1_GE3
数据手册PDF。
SQ9945BEY-T1_GE3
型号：SQ9945BEY-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：7185 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.171758 |
| 10+： | ￥10.810782 |
| 100+： | ￥8.407556 |
| 500+： | ￥7.126417 |
| 1000+： | ￥5.805266 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.17