RGTVX6TS65GC11
库存 ：450
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥78.954991 | ￥78.95 |
| 10 | ￥70.874152 | ￥708.74 |
| 25 | ￥66.999302 | ￥1674.98 |
| 100 | ￥53.600431 | ￥5360.04 |
| 250 | ￥50.622629 | ￥12655.66 |
| 500 | ￥47.644828 | ￥23822.41 |
| 1000 | ￥41.689224 | ￥41689.22 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 144 A
耗散功率 404 W
集电极连续电流（Max） 144 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTVX6TS65
RGTVX6TS65GC11 同类别型号
注
RGTVX6TS65GC11
型号：RGTVX6TS65GC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：450 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥78.954991 |
| 10+： | ￥70.874152 |
| 25+： | ￥66.999302 |
| 100+： | ￥53.600431 |
| 250+： | ￥50.622629 |
| 500+： | ￥47.644828 |
| 1000+： | ￥41.689224 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥78.95