RGTVX6TS65GC11
库存 ：450
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥90.527856 | ￥90.53 |
| 10 | ￥81.262563 | ￥812.63 |
| 25 | ￥76.819757 | ￥1920.49 |
| 100 | ￥61.456938 | ￥6145.69 |
| 250 | ￥58.042665 | ￥14510.67 |
| 500 | ￥54.62839 | ￥27314.20 |
| 1000 | ￥47.799841 | ￥47799.84 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 144 A
耗散功率 404 W
集电极连续电流（Max） 144 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTVX6TS65
RGTVX6TS65GC11 同类别型号
注
RGTVX6TS65GC11
型号：RGTVX6TS65GC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：450 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥90.527856 |
| 10+： | ￥81.262563 |
| 25+： | ￥76.819757 |
| 100+： | ￥61.456938 |
| 250+： | ￥58.042665 |
| 500+： | ￥54.62839 |
| 1000+： | ￥47.799841 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥90.53