搜索

SQ9945BEY-T1_GE3

SILICONIX(威世)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
SQ9945BEY-T1_GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
渠道:
digikey

库存 :7185

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 15.102414 15.10
10 12.395377 123.95
100 9.639899 963.99
500 8.170976 4085.49
1000 6.656175 6656.18

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 5.4 A

漏源电阻 45 mOhms, 45 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.5 V

栅极电荷 12 nC

耗散功率 4 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 1.7 ns

上升时间 2.8 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 17 ns

典型接通延迟时间 6 ns

外形参数

高度 1.75 mm

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

零件号别名 SQ9945BEY-T1_BE3

单位重量 187 mg

SQ9945BEY-T1_GE3 相关产品

SQ9945BEY-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 射频晶体管 ,可在锐单商城现货采购SQ9945BEY-T1_GE3、查询SQ9945BEY-T1_GE3代理商; SQ9945BEY-T1_GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SQ9945BEY-T1_GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到SQ9945BEY-T1_GE3 替代型号 、SQ9945BEY-T1_GE3 数据手册PDF

购物车

SQ9945BEY-T1_GE3

锐单logo

型号:SQ9945BEY-T1_GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:7185 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥15.102414
10+: ¥12.395377
100+: ¥9.639899
500+: ¥8.170976
1000+: ¥6.656175

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥15.10