SI6562CDQ-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI6562CDQ-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
- 渠道：
- digikey
库存 ：12071
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.81675 | ￥18.82 |
| 10 | ￥12.666886 | ￥126.67 |
| 100 | ￥8.822457 | ￥882.25 |
| 500 | ￥7.098659 | ￥3549.33 |
| 1000 | ￥6.53385 | ￥6533.85 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.7 A, 6.1 A
漏源电阻 22 mOhms, 30 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 15 nC, 34 nC
耗散功率 1.6 W, 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 15 ns
正向跨导（Min） 17 S, 22 S
上升时间 10 ns, 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns, 45 ns
典型接通延迟时间 12 ns, 30 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI6562CDQ-GE3
单位重量 158 mg
SI6562CDQ-T1-GE3 同类别型号
注
SI6562CDQ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI6562CDQ-T1-GE3
数据手册PDF。
SI6562CDQ-T1-GE3
型号：SI6562CDQ-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：12071 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥18.81675 |
| 10+： | ￥12.666886 |
| 100+： | ￥8.822457 |
| 500+： | ￥7.098659 |
| 1000+： | ￥6.53385 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.82