RGS00TS65HRC11
库存 ：296
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥98.744756 | ￥98.74 |
| 10 | ￥88.742776 | ￥887.43 |
| 100 | ￥72.711274 | ￥7271.13 |
| 500 | ￥61.897237 | ￥30948.62 |
| 1000 | ￥52.765401 | ￥52765.40 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 88 A
耗散功率 326 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 13.413 g
RGS00TS65HRC11 同类别型号
注
RGS00TS65HRC11
型号：RGS00TS65HRC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：296 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥98.744756 |
| 10+： | ￥88.742776 |
| 100+： | ￥72.711274 |
| 500+： | ￥61.897237 |
| 1000+： | ￥52.765401 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥98.74