RGS00TS65HRC11
库存 ：296
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥86.121462 | ￥86.12 |
| 10 | ￥77.398112 | ￥773.98 |
| 100 | ￥63.416039 | ￥6341.60 |
| 500 | ￥53.984442 | ￥26992.22 |
| 1000 | ￥46.019999 | ￥46020.00 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 88 A
耗散功率 326 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 13.413 g
RGS00TS65HRC11 同类别型号
注
RGS00TS65HRC11
型号：RGS00TS65HRC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：296 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥86.121462 |
| 10+： | ￥77.398112 |
| 100+： | ￥63.416039 |
| 500+： | ￥53.984442 |
| 1000+： | ￥46.019999 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥86.12