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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 1.8 V
栅极/发射极最大电压 25 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 555 W
栅极—射极漏泄电流 +/- 400 nA
工作温度范围 - 55 C to + 175 C
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.390 g
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0FGH40T120SMD
型号:FGH40T120SMD
品牌:ON
供货:锐单
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