FGH40T120SMD
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥54.710983 | ￥54.71 |
| 10 | ￥49.411214 | ￥494.11 |
| 100 | ￥40.905883 | ￥4090.59 |
| 500 | ￥35.620163 | ￥17810.08 |
| 1000 | ￥31.023983 | ￥31023.98 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 1.8 V
栅极/发射极最大电压 25 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 555 W
栅极—射极漏泄电流 +/- 400 nA
规格参数
工作温度范围 - 55 C to + 175 C
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.390 g
FGH40T120SMD 同类别型号
注
FGH40T120SMD品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGH40T120SMD
数据手册PDF。
FGH40T120SMD
型号：FGH40T120SMD
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥54.710983 |
| 10+： | ￥49.411214 |
| 100+： | ￥40.905883 |
| 500+： | ￥35.620163 |
| 1000+： | ￥31.023983 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥54.71