SQJ431EP-T1_GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SQJ431EP-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CHAN 200V SO8L
- 渠道：
- digikey
库存 ：9645
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥26.998457 | ￥27.00 |
| 10 | ￥22.43714 | ￥224.37 |
| 100 | ￥17.854506 | ￥1785.45 |
| 500 | ￥15.108052 | ￥7554.03 |
| 1000 | ￥12.819011 | ￥12819.01 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 213 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 71 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 16 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 15 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SQJ431EP-T1_GE3 同类别型号
注
SQJ431EP-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SQJ431EP-T1_GE3、查询SQJ431EP-T1_GE3代理商；
SQJ431EP-T1_GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SQJ431EP-T1_GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SQJ431EP-T1_GE3
替代型号
、SQJ431EP-T1_GE3
数据手册PDF。
SQJ431EP-T1_GE3
型号：SQJ431EP-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：9645 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥26.998457 |
| 10+： | ￥22.43714 |
| 100+： | ￥17.854506 |
| 500+： | ￥15.108052 |
| 1000+： | ￥12.819011 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥27.00